技術革新 × トンウェイDNA
トンウェイ国家企業技術センター
トンウェイは、国家企業技術センターを基盤に、業界をリードする充実した研究開発プラットフォームを構築しています。
高純度シリコン、高効率セル・モジュール、最終段階の太陽光発電所など、主要な生産・応用工程において、継続的に革新の追求を行っています。
さらに、資源の集約と最先端技術の探求を目的として、グローバルイノベーション研究開発センターの構築に全力を注いでいます。
核心技術と先端技術の研究開発に注力することで、企業のリスク回避、新規事業の探索、市場の精密な分析、そして研究開発動向の先導を実現しています。
2026年8月31日現在
トンウェイ太陽光発電の特許累計取得件数は
4413
T1: TNC セル パイロットライン
T2/T3: TBC セル& モジュール
パイロットライン
T4: モジュール R&D センター
T5: PVテストセンター
T6研究開発エリア:
HJT+THL GW級生産ライン
ペロブスカイトセル研究所+5MWパイロットライン
HTBC研究開発ライン
セル検査センター
トンウェイ グローバル イノベーション R&Dセンター
R&Dセンターの展開
トンウェイ グローバル イノベーション R&Dセンタープロジェクトは、敷地面積608ムー(約40.5ヘクタール)に及び、研究開発施設の建築面積は10.8万平方メートルです。施設内には、総合管理区、生活区、研究開発施設、試験・検査センターなどの関連設備が整備されています。
2023年4月3日
2023年11月30日
2024年4月26日
2024年5~6月
2024年6月6日
2024年11月18日
2025年2月
2025年3月
2025年7月
2025年9月
2025年8-9月
2025年11月
2025年11月27日
2025年12月12日
1. 2023年4月3日、劉漢元主席および劉舒琪董事長が双流工場を視察し、 R&Dセンター建設に関する重要な指示を出しました。
2. 2023年11月30日、トンウェイは最初のグローバル イノベーション R&Dセンターの建設を開始しました。
3. 2024年4月26日、トンウェイ グローバル イノベーション R&Dセンターの初期工程設備が無事に搬入されました。
4. 2024年5月から6月にかけて、T1~T4の各研究開発施設が順次稼働を開始しました。
5. 2024年6月6日、トンウェイ グローバル イノベーション R&DセンターのT6研究開発施設において、HJTおよびTHLの初のセルが 完成しました。これにより、センターは正式に稼働を開始しました。
6. 2024年11月18日、第7回中国国際太陽光発電・蓄電産業大会において、トンウェイ グローバル イノベーション R&Dセンターが盛大に開所しました。
7. 2025年2月、四川省科学技術庁より「四川省結晶シリコン太陽光発電技術イノベーションセンター」の認定を取得。
8. トンウェイ、TNC・THCモジュールの記録を再び更新。
2025年3月、国際的な権威ある認証機関TÜVの試験により、トンウェイのTNCおよびTHCという2つの技術系列のモジュールが、変換効率と出力の両面で新たな突破を達成しました。標準サイズ2,384×1,303mmのTHC-G12ヘテロ接合モジュールは、最大出力 790.8W、全面積変換効率25.46%を達成し、権威ある第三者機関が試験した結晶シリコンモジュールとして現時点で最高の全面積変換効率となりました。また、2,382×1,134mmサイズのTNC-G12Rモジュールは表面出力682.8W、変換効率25.28%を、2,384×1,303mmサイズのTNC-G12モジュールは出力778.5W、変換効率25.06%を達成し、いずれも現在主流の同サイズ製品の出力記録を約60W上回りました。今回の成果は、トンウェイのヘテロ接合モジュールが2023年以降に記録を更新した11回目の事例であり、TNCモジュールとしてはトンウェイ グローバル イノベーション R&Dセンター稼働後2回目の出力向上となります。トンウェイの技術開発力と継続的なイノベーション力を改めて実証しました。
9. トンウェイ、両面係数の新記録を樹立:両面発電TOPCon技術で業界の新たな指標を確立。
2025年7月初旬、トンウェイ グローバル イノベーション R&Dセンターは、トンネル酸化膜パッシベーションコンタクト(TOPCon)技術を採用した超高両面係数太陽光モジュールという最新の技術成果を発表しました。セルの両面係数は94.3%を突破し(ドイツTÜV Rheinland認証)、モジュールの両面係数は91.7%、モジュール出力は最大722Wに達しました。この成果は、世界的に著名な太陽光発電業界メディア『pv magazine』でも詳しく報じられ、TOPCon技術の大きな可能性を示すとともに、高効率両面モジュール分野におけるTOPCon技術の発展方向をリードしています。
10. 業界初の全自動メガワット級ペロブスカイト/シリコンタンデム太陽電池パイロットラインが全線開通。
2025年9月、トンウェイ グローバル イノベーション R&Dセンターの全自動メガワット級ペロブスカイト/シリコンタンデム太陽電池パイロットラインが無事全線開通し、研究開発面で大きな成果を上げました。小面積タンデム研究用セルの変換効率は34.94%、210ハーフカットのフルサイズタンデムセルの変換効率は31.08%に達しました。トンウェイは、シリコンボトムセルのコスト低減・高効率化技術ロードマップに沿い、独自の210ハーフカットプラットフォーム、薄型化、銀フリーのメタライゼーションなどの技術を組み合わせ、ペロブスカイト/シリコンタンデム太陽電池の量産化を継続的に推進します。
11. BRICS産業イノベーションコンテストで国内1等賞および国際3等賞を初受賞。
2025年8~9月、トンウェイの「大型銅グリッド線ヘテロ接合セルおよび高出力モジュールの基幹技術研究・応用」プロジェクトが、BRICS産業イノベーションコンテストの「エネルギーエレクトロニクス産業」部門で国内1等賞を受賞し、さらに2025年BRICS産業イノベーションコンテスト国際3等賞を受賞しました。
12. 2025年11月、トンウェイ股份が「中国太陽光発電・蓄電先端技術貢献賞」を受賞。
13. 2025年11月27日、トンウェイの「高効率・低コストシリコンヘテロ接合太陽電池の基幹技術および産業化」プロジェクトが、2025年度中国再生可能エネルギー学会科学技術1等賞を受賞。
14. 太陽光発電業界で唯一!トンウェイが第1陣の国家級パイロットプラットフォームに認定。
2025年12月12日、トンウェイ股份の「先進太陽光発電デバイス・パイロットプラットフォーム」が「国家級製造業パイロットプラットフォーム」に認定され、太陽光発電業界で唯一この国家認定を取得したプラットフォームとなりました。今回の選定率はわずか8.5‰でしたが、トンウェイのプラットフォームは、技術革新、基盤能力の構築、サービス成果、成果の実用化における総合力が高く評価されました。これは、トンウェイの研究開発・パイロット実証能力と業界をリードする技術力が国家レベルで高く評価されたことを示しています。
研究開発の方向性は、高効率シリコンセルおよび材料、高効率・高信頼性モジュール、太陽光発電モジュールの試験・分析、新技術の研究などを網羅しています。特に、TNC、THC、TBCセルおよびモジュール、銅インターコネクトのメタライゼーション、ペロブスカイト/シリコンタンデム太陽電池、新型太陽光モジュールといった分野における核心技術および先端技術の開発に注力しています。
また、グローバルイノベーション R&Dセンターでは、材料・デバイスの分析評価やモジュール製品の信頼性試験・評価にも取り組んでいます。
HJT銅インターコネクトおよびペロブスカイト太陽電池一体型研究開発施設
将来5~10年の新技術開発に適した、HJTセル銅インターコネクトおよびペロブスカイト太陽電池一体型研究開発施設で、施設面積は最大規模、パイロット生産能力も最高水準、アップグレード対応力も最強クラスです。
太陽光発電テストセンター
世界最大規模の単体面積を誇り、最先端技術を備え、検査能力が最も充実した、太陽光電池・モジュール材料・モジュール製品を一体化した太陽光モジュール検査センターです。
標準試験、厳格試験、故障解析、加速試験法の開発、シミュレーション計算などの機能を有しており、電池試験ラボ、材料物理化学ラボ、モジュール信頼性ラボを含みます。
高効率セルとモジュール
先進技術
TBC — 2026年第1四半期、TBC N型研究用セル変換効率は27.29%、モジュール出力は660W超
ペロブスカイト/シリコンタンデム太陽電池 — 小面積タンデムセルは限定照射面積(1.07cm²)で変換効率34.94%、210ハーフカットタンデムセルは全面積変換効率32.68%
永祥技術センター
トンウェイ傘下の永祥は、3つの四川省認定の省レベル研究開発プラットフォーム:四川省ポリシリコンエンジニアリング技術研究センター、四川省高純度結晶シリコン製造エンジニアリングラボ、およびトンウェイ半導体研究開発センターを保有しています。
電子グレード多結晶シリコン製造技術
高純度結晶シリコン製造における省エネルギー技術および装置の開発
高純度結晶シリコンのスマート製造技術
多結晶シリコンシステムの蒸気段階的利用技術
還元炉のワンボタン起動による全工程自動化技術
低エネルギー消費・ゼロ排出の多結晶シリコングリーン製造技術のシステム統合技術

高純度結晶シリコン

トンウェイ傘下の永祥は、ポリシリコンエンジニアリング技術研究センター、社内技術センター、高純度結晶シリコン製造エンジニアリングラボ、および博士研究員イノベーション・実践基盤を設立しました。2024年5月末までに、永祥は合計952件の特許を出願し、644件の有効な特許を保有しています。
コア技術
冷水素化
ディスプロポーション
高効率還元
排ガス回収
高沸点熱分解
320件以上の特許
技術成果
熱エネルギー段階
総合利用
電気自動化
制御
塩素水素要素
クローズドループ
大規模省エネ
精留
プロセス技術の継続的進化
第一世代
熱水素化
技術
第二世代
四塩化ケイ素自循環
技術
第三世代
小型冷水素化
技術
第四世代
大型冷水素化
技術
第五世代
第五世代
永祥法
第六世代
反応蒸留
技術
第七世代
第七世代
永祥法
第八世代
第八世代
永祥法